プレスリリース

このプレスリリースは宇宙開発事業団(NASDA)が発行しました

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宇宙環境利用に関する先導的応用化研究ワークショップの開催について

平成13年5月11日

宇宙開発事業団

 宇宙開発事業団では、民間参加による宇宙環境利用の促進を図るため、平成11年4月より「先導的応用化研究」の募集を開始しています。この制度に関する今後の研究について議論頂くため、「宇宙環境利用に関する先導的応用化研究ワークショップ」を、以下の通り開催しますのでお知らせ致します。
 本ワークショップは、「先導的応用化研究」制度の概要と現状を紹介する共に、特に、半導体の研究分野の取組みと今後の研究動向について、研究者による講演等により、参加いただいた方々にご理解いただくとともに、広く民間企業を中心とした研究者の方々に、宇宙環境利用を活用した研究に参加して頂けることを目的として開催します。

1.日 時 平成13年5月19日(土) 9:00〜16:00
2.場 所 ホテル アルカディア
(長野県長野市門沢5299 TEL 026-239-2011)
3.プログラム 添付1参照
4.その他
参加費無料
「第49回日本結晶成長学会バルク成長分科会研究会」
との共催となります。
(添付2、同研究会プログラム参照)

ワークショップについての問い合わせ先:
 (財)宇宙環境利用推進センター 宇宙実験推進部  TEL:03-5273-2442



宇宙環境利用に関する先導的応用化研究ワークショップ
「高性能半導体分野」
平成13年5月19日(土)9:00〜16:00


09:00-09:05 ワークショップ開催 挨拶
宇宙開発事業団
09:05-09:15 先導的応用化研究制度と高性能半導体領域での活動状況
宇宙環境利用推進センター
09:15-09:35 流れによるシリコン結晶成長制御I:マランゴニー対流の数値解析
今石 宣之(九州大学)
09:35-10:10 流れによるシリコン結晶成長制御II:マランゴニー対流の実験的解析とEMCZ 
日比谷 孟俊(日本電気)
10:10-10:45 序-シリコン固液界面における挙動と欠陥形成
井上 直久(大阪府立大学)
10:45-11:20 CZシリコン結晶の欠陥形成におよぼす固液界面形状および軽元素(O,N)の影響
中村 浩三(コマツ電子金属(株))
11:20-13:00 休憩(昼食)
13:00-13:30 成長界面温度勾配測定、V/G制御結晶成長と欠陥評価
黄 新明、干川 圭吾(信州大学)、
馬 敏雅、小川 智哉(学習院大学)、
井上 直久、山中 陽一郎(大阪府立大学)
13:30-14:00 欠陥の不均一分布と融液内温度分布
田中 正博(新日鉄)
14:00-14:30 Si-CZ炉総合熱解析の現状と課題
塚田 隆夫(東北大学)、
小野 直樹(三菱マテリアル)
14:30-15:00 休憩
15:00-15:30 静的動的磁界効果と酸素移動現象
柿本 浩一(九州大学)
15:30-16:00 偏析係数の熱力学的解析
宇田 聡(三菱マテリアル)、
井上 直久(大阪府立大学)
16:00 閉 会



第49回日本結晶成長学会バルク成長分科会
研究会プログラム
平成13年5月18日(金)〜19日(土)


5月18日(金)
13:00 開会
13:00-13:40  GaAs結晶成長の現状
水庭清治、和地三千則、稲田知己(日立電線)
13:40-14:20 GaAs、InP結晶の現状と課題
木山 誠(住友電工)
14:20-15:00 YIG単結晶の結晶成長
藤井高志(村田製作所)
15:00-15:40 高品質ボレ-ト結晶の新育成法
佐々木孝友(大阪大学)
15:40-16:00 休憩
16:00-17:10 IT加速時代のバルク結晶:結晶研究30年の夢
木村茂行(無機材質研究所)
 
5月19日(土)
9:00-16:00 宇宙環境利用に関する先導的応用化研究ワークショップ
(添付1参照)